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Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 

1.Intrínsecos
2. Extrínsecos 

QUÉ SON LOS SEMICONDUCTORES 
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS"
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".

Si el número de huecos es mayor que el de electrones libres, se dice que el semiconductor pertenece al tipo P (p >> n).

Por el contrario, si el número de electrones libres es muy superior al de huecos, el semiconductor pertenece al tipo N (n>>p).

Ambos tipos de materiales se llaman semiconductores extrínsecos, y el proceso de su formación se llama impurificación.

Por este proceso se le agregan pequeñas cantidades de átomos de otros elementos (un átomo por cada cien millones del semiconductor intrínseco). Los átomos adquiridos se llaman "impurezas".
Existen dos tipos de impurezas:

Donadoras: las que producen semiconductores extrínsecos con más electrones libres que huecos.
Aceptoras: las que producen semiconductores extrínsecos con más huecos móviles que electrones libres.

Los donadores son elementos que tienen cinco electrones en su órbita de valencia, tales como el arsénico y el fósforo.

Los aceptores tienen tres electrones en su órbita de valencia, tales como el indio, el boro y el aluminio.





FORMACIÓN DE UN DIODO DE SILICIO DE UNIÓN "p-n"

En el mismo momento que un cristal semiconductor de silicio (Si) de conducción “tipo-p” (positivo) se pone en contacto con otro cristal semiconductor también de silicio, pero de conducción “tipo-n” (negativo), se crea un diodo de empalme o de unión “p-n”. Si al diodo así formado le conectamos una fuente de corriente eléctrica, éste reacciona de forma diferente a como ocurre con cada una de las dos partes semiconductoras por separado, tal como se pudo ver en el ejemplo anterior.

Representación gráfica de las dos  partes  que  componen. un diodo de silicio de unión p-n: a la izquierda la parte. positiva (P) y a la derecha la negativa (N). En la ilustración. se puede apreciar la “zona de deplexión” que se forma. alrededor del punto donde se unen los dos cristales. semiconductores de diferente polaridad. El punto de unión. p-n de los dos cristales se denomina “barrera de potencial. del diodo”.